現(xiàn)在功率半導(dǎo)體器件在汽車中的運(yùn)用也被不斷探索。在大漢新成立的汽車元件開發(fā)部門中,集中了公司擅長(zhǎng)汽車元件開發(fā)的人才,同時(shí)把封裝、產(chǎn)品檢驗(yàn)、產(chǎn)品制造技術(shù)開發(fā)的人才也都撥給新的部門,在公司的地位得到提高,形成了有利于開發(fā)新汽車器件的體制。 http://shuiyueshi.cn/News/409.html
面對(duì)電動(dòng)汽車市場(chǎng),日前大漢推出J系列IPM,在上面搭載驅(qū)動(dòng)和保護(hù)電路。如果客戶有自行開發(fā)驅(qū)動(dòng)電路的能力,我們就提供沒有驅(qū)動(dòng)跟保護(hù)電路的功率器件的J系列T-PM,其特點(diǎn)是緊湊、體積小。
大漢電機(jī)的產(chǎn)品不斷更新?lián)Q代。關(guān)于換代產(chǎn)品的與繼承,從硅器件的一代到第六代甚至第七代,都沒有超出改進(jìn)范圍。通過對(duì)上一代產(chǎn)品的改進(jìn),可為客戶帶來更多新價(jià)值。比如第三代的IGBT是平板型構(gòu)造,第四代是勾槽型構(gòu)造,第五代成為CSTBT,第六代是超薄化。目前正在開發(fā)的第七代產(chǎn)品試圖把CSTBT的構(gòu)造進(jìn)一步優(yōu)化,使其更加微細(xì)化和超薄化,改善關(guān)斷損耗對(duì)飽和壓降的折中比例,提高功率半導(dǎo)體的性能。不過,未來碳化硅取代硅材料在功率半導(dǎo)體器件中的運(yùn)作,將是一種革命性的技術(shù)改進(jìn),新的器件將與以往產(chǎn)品完全不同。
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